由于电容器结构的不同，存在很大的差异。铝电解的ESR值一般在几百到几十毫欧姆之间，钽电容器介于铝电解和陶瓷片电容器之间。与电容有关的参数很多，但在设计中重要的参数是C和ESR。我们经常使用三种电容器：铝电解、陶瓷和钽电容器。因此，铝电解不宜离热源太近。而性能差的是z5u/Y5V材料，介电常数大，电容值可达几十微米。然而，这种材料受温度和直流偏压的严重影响。

由于电容器结构的不同，存在很大的差异。铝电解的ESR值一般在几百到几十毫欧姆之间，钽电容器介于铝电解和陶瓷片电容器之间。与电容有关的参数很多，但在设计中重要的参数是C和ESR。

我们经常使用三种电容器：铝电解、陶瓷和钽电容器。铝电容器是由铝箔槽氧化后，再绕绝缘层，再浸入电解液中制成。它的原理是化学原理，充放电依赖于化学反应。电容对信号的响应速度受电解液中带电离子运动速度的限 制，在低频（1m）电渣重熔中通常采用铝电阻和电解液等效电阻之和，且数值较大。铝电容器的电解液会逐渐挥发，导致容量下降甚至失效，蒸发速度随着温度的升高而加 快。温度每升高10度，寿命就会减半。如果电容器在27℃室温下使用10000小时，在57℃下只能使用1250小时。因此，铝电解不宜离热源太近。

陶瓷电容器是通过物理反应来储存电能的，因此具有很高的响应速度，可以应用于G的场合，但是由于介质的不同，陶瓷电容器也表现出很大的差异。性能好的是c0g材料的电容，温度系数小，但材料的介电常数小，所以电容值不能太大。而性能差的是z5u/Y5V材料，介电常数大，电容值可达几十微米。然而，这种材料受温度和直流偏压的严重影响（直流电压会引起材料的极化，降低电容）。