钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容随介质温度升高变化率大、绝缘电阻下降等缺点。钛酸锶晶体的居里温度为-250°C。室温下为立方钙钛矿结构。它是一个顺电体，没有自发极化。高电压之下，钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化不大，Tg较低。多层陶瓷电容器是应用最广泛的片式元件之一。是由多层之内电极材料和陶瓷体交替并联而成，整体烧制而成的片式单片电容器。

晶粒边界层陶瓷电容器。涂布适量金属氧化物（如CuO或Cu２Ｏ、MnO２、Bi２Ｏ３、Tl２Ｏ３等）。在晶粒发育良好的钛酸钡半导体陶瓷表面。涂层氧化物在适当的温度和氧化条件之下热处理之后，与钛酸钡形成低共晶相，沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷之中，并在晶界处形成一层薄的固溶体绝缘层。

钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容随介质温度升高变化率大、绝缘电阻下降等缺点。钛酸锶晶体的居里温度为-250°C。室温下为立方钙钛矿结构。它是一个顺电体，没有自发极化。高电压之下，钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化不大，Tg较低。多层陶瓷电容器是应用最广泛的片式元件之一。是由多层之内电极材料和陶瓷体交替并联而成，整体烧制而成的片式单片电容器。

晶粒边界层陶瓷电容器。涂布适量金属氧化物（如CuO或Cu２Ｏ、MnO２、Bi２Ｏ３、Tl２Ｏ３等）。在晶粒发育良好的钛酸钡半导体陶瓷表面。涂层氧化物在适当的温度和氧化条件之下热处理之后，与钛酸钡形成低共晶相，沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷之中，并在晶界处形成一层薄的固溶体绝缘层。

这种薄固溶体绝缘层的电阻率非常高（可达1012—1013Ω.虽然陶瓷颗粒仍是半导体，但用这种陶瓷制成的整个陶瓷体的表观介电常数高达2×104～8×这种电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器），而高压陶瓷电容器的陶瓷材料有两种类型：钛酸钡基和钛酸锶基。钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容随介质温度升高变化率大、绝缘电阻下降等缺点。

钛酸锶晶体的居里温度为-250°C。室温下为立方钙钛矿结构。它是一个顺电体，没有自发极化。高压之下，钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化不大，Tg较低。多层陶瓷电容器是应用最广泛的片式元件之一。是由多层之内电极材料和陶瓷体交替并联而成，整体烧制而成的片式单片电容器。有体积小、比电容高、精度高等特点。它可以安装在印刷电路板（PCB）和混合集成电路（HIC）基板之上，可以有效地减小电子信息终端产品（尤其是便携式产品）的体积和重量，提高产品的可靠性。顺应了IT产业小型化、轻量化、高性能、多功能的发展方向。