银电极低频陶瓷独石电容器由于银离子迁移而引起失效的现象，比其他类型的陶瓷介质电容器严重得多，原因在于这种电容器的一次烧成工艺与多层叠片结构。

  多层叠片结构的缝隙较多，电极位置不易精确，介质表面的留边量小，叠片层两端涂覆外电极时银浆渗入缝隙，降低了介质表面的绝缘电阻，并使电极之间的路径缩短，银离子迁移时容易产生短路现象。

  半密封陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时，发生击穿失效是比较普遍的严重问题。

  所发生的击穿现象大约可以分为介质击穿和表面极间飞弧击穿两类。
 
  介质击穿按发生时间的早晚又可分为早期击穿与老化击穿两种，早期击穿暴露了电容介质材料与生产工艺方面存在的缺陷，这些缺陷导致陶瓷介质介电强度显著降低，以至于在高湿度环境的电场作用下，电容器在耐压试验过程中或工作初期，就产生电击穿。老化击穿大多属于电化学击穿范畴。

  由于陶瓷电容器银的迁移，陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。

  银迁移形成的导电树枝状物，使漏电流局部增大，可引起热击穿，使电容器断裂或烧毁。

  热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中，因为击穿时局部发热严重，较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。

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