片式压敏电阻器是通过使用流延工艺将电极层和半导体功能陶瓷层交错烧结而成的半导体陶瓷元件。层栋电极与元器件的端面电极交错，增大了对电极的有效面积，从而提高了元器件承受浪涌电压的能力。片式压敏电阻器是一种具有对称伏安特性的压敏电阻器。它的电阻随外加电压的增加而非线性减小。当电压在一定范围之内进一步升高时，这种非线性响应更加明显。

片式压敏电阻器是通过使用流延工艺将电极层和半导体功能陶瓷层交错烧结而成的半导体陶瓷元件。层栋电极与元器件的端面电极交错，增大了对电极的有效面积，从而提高了元器件承受浪涌电压的能力，片式压敏电阻的压敏电压，即浪涌响应电压，取决于两个电极层间的厚度，与整个元器件的厚度无关。元件的流通能力主要由交错层数决定，交错层数随着元件尺寸的增加而增加。

片式压敏电阻器是一种具有对称伏安特性的压敏电阻器。它的电阻随外加电压的增加而非线性减小。当电压在一定范围之内进一步升高时，这种非线性响应更加明显。直流工作电压：在规定的环境条件之下，为保证片式电压敏感电阻器正常工作而允许连续施加的最大直流电压值，也作为测量泄漏电流的参考点，泄漏电流通常低于元器件的敏感电压。

交流工作电压：在规定的环境条件之下，允许连续施加的最大交流电压值，以保证片式压阻器正常工作。

最大浪涌电流（峰值电流Ip）是指在规定的脉冲波形（8/20us）和相应的电压之下，保证片式压敏电阻器正常工作的最大电流。该脉冲可以从元件的任何一端施加。

最大浪涌能量（能量耐力Es）:在规定的脉冲波形（10/1000us）之下，最大脉冲能量保证片式压敏电阻能正常工作。

漏电流（IL）：在非导电模式之下，元件具有非常高的阻抗（接近1.0E 9欧姆），并且在系统之中开路，此时泄漏电流非常低（室温下<5uA）。齐纳二极管不同，片式压敏电阻具有低泄漏电流特性，在最高工作温度之下，泄漏电流不超过50uA。