近年来，随着电子技术的发展，电路的工作电压和工作电流越来越低。低电压工作有利于降低电路的整体功耗，但也为电源的设计提出了新的问题。为了使电路正常工作，必须对同步整流器进行控制，这是用同步整流器代替二极管的基本要求。因此，必须根据二极管的工作规律选择一种合适的驱动方式，并由PWM控制信号形成驱动信号来确定开关电路。不同的状态。

近年来，随着电子技术的发展，电路的工作电压和工作电流越来越低。低电压工作有利于降低电路的整体功耗，但也为电源的设计提出了新的问题。

开关电源的损耗主要由功率开关损耗、高频变压器损耗和输出整流器损耗三部分组成。在低电压、大电流输出时，整流二极管的导通压降大，输出整流管的损耗尤为突出，恢复快。二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）即使采用低压降肖特基二极管（SBD）也能达到10～12V，导致约0.6V的电压降，增加了整流损耗，降低了电源效率。

近年来，随着电子技术的发展，电路的工作电压和工作电流越来越低。低电压工作有利于降低电路的整体功耗，但也为电源的设计提出了新的问题。为了使电路正常工作，必须对同步整流器进行控制，这是用同步整流器代替二极管的基本要求。因此，必须根据二极管的工作规律选择一种合适的驱动方式，并由PWM控制信号形成驱动信号来确定开关电路。不同的状态。

近年来，随着电子技术的发展，电路的工作电压和工作电流越来越低。低电压工作有利于降低电路的整体功耗，但也为电源的设计提出了新的问题。

开关电源的损耗主要由功率开关损耗、高频变压器损耗和输出整流器损耗三部分组成。在低电压、大电流输出时，整流二极管的导通压降大，输出整流管的损耗尤为突出，恢复快。二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）即使采用低压降肖特基二极管（SBD）也能达到10～12V，导致约0.6V的电压降，增加了整流损耗，降低了电源效率。

传统的二极管整流电路已不能满足高效率、小体积、低电压、大电流开关电源的要求，已成为提高DC/DC变换器效率的瓶颈。

在功率变换领域，MOSFET被用作低输出直流电压隔离变换器的整流器。这些器件由于其低传导损耗和高效率而得到广泛应用。

为了使电路正常工作，必须对同步整流器进行控制，这是用同步整流器代替二极管的基本要求。因此，必须根据二极管的工作规律选择一种合适的驱动方式，并由PWM控制信号形成驱动信号来确定开关电路。不同的状态。