压敏电阻器有和别的的半导体元件相似的行为特质。

  
  由于压敏电阻的传输形成非常快，迟缓只在纳秒级的局限内，因此能够满足各个实际要求。

  压敏电阻更好的能量吸取：和硅晶体二极管唯有一个结经受浪涌电流不相同，压敏电阻器是由上百万个P-N结构成，这种组织有更佳的能量吸取功能和浪涌电压承受功能。

  压敏电阻的电容值：和稳压二极管对比，压敏电阻有更高的电容值，按照不同的使用范围，对浪涌保护器的电容值是不同的。

  在直流电路中，压敏电阻器的电容既能起到去耦的效用又可以做到抑制瞬态过电压的多重作用。

  压敏电阻过温条件下有稳定的电压在高出崩溃电压的情形下，一旦环境温度超过正常的工作温度范围，齐纳二极管的限制电压会随着环境温度的升高而升高。

  而压敏电阻器的限制电压在超过工作温度范围的情况下仍然几乎保持恒定。

  当压敏电阻器的漏电流随着元件本体温度的升高而增加时，压敏电阻的限制电压不会随着温度的改变而改变。