- [电子产品动态]半导体陶瓷电容器材料的特性[ 2021-04-16 16:57 ]
- 包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相，并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104～8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。
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- [选型资料]半导体陶瓷电容的基本知识[ 2015-12-24 15:26 ]
- 在小型电脑、移动通信等设备日益轻、薄、短、小，高性能，多功能化的过程中，对小体积、大容量电容器的要求愈益迫切。固体电解电容器只能适用于直流场合，在交流的情况下，半导体陶瓷电容则具有其特殊的重要性。 虽然陶瓷电容器早在二战期间已大量使用，但半导体陶瓷电容的生产与广泛使用却是近二三十年的事。它的生产过程和常规陶瓷电容器有很大的差别。要想生产出性能优异的半导体陶瓷电容器必须关注其特殊情况。 目前国际流行的、已实用化的半导体陶瓷电容有表面型和晶界层型两
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