在小型电脑、移动通信等设备日益轻、薄、短、小，高性能，多功能化的过程中，对小体积、大容量电容器的要求愈益迫切。固体电解电容器只能适用于直流场合，在交流的情况下，半导体陶瓷电容则具有其特殊的重要性。
 

虽然陶瓷电容器早在二战期间已大量使用，但半导体陶瓷电容的生产与广泛使用却是近二三十年的事。它的生产过程和常规陶瓷电容器有很大的差别。要想生产出性能优异的半导体陶瓷电容器必须关注其特殊情况。
 

目前国际流行的、已实用化的半导体陶瓷电容有表面型和晶界层型两种，由于前者工艺性好、价廉故使用得更为广泛。目前国内已有中、后工序的大批量生产。且正在研究从瓷粉料至成品的全工序国产化。所谓表面型半导体陶瓷电容器是指：瓷片本体已半导化，然后使其表面重新氧化而形成很薄的介质层，之后再在瓷片两面烧渗电极而形成电容器。而晶界层型半导体陶瓷电容器则是：沿着半导体化的瓷体之晶粒边界处形成绝缘层，再在瓷片两面烧渗电极，因而形成多个串、并联的电容器网。本文拟就表面型半导体陶瓷电容器加以叙述。

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